Скачать статью в pdf.

УДК 539.219.1

КОНЦЕНТРАЦИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В Si-ФАЗЕ, СОПРЯЖЕННОЙ С SiC-ФАЗОЙ, СФОРМИРОВАННОЙ МЕТОДОМ ЭНДОТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР

Чепурнов Виктор Иванович
(доцент кафедры радиофизики и полупроводниковой микронано-электроники Самарского государственного университета (г. Самара, Россия), Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.)

В статье исследуется твердофазный процесс эндотаксии карбида кремния, который сопровождается химическим превращением Si-фазы в SiC-фазу в среде водорода и его производных с углеродом при t 1 360-1 380 °С и нормальном давлении; излагаются факторы и природа трудностей управляемого легирования карбида кремния, сформированного на подложке кремния, и его особенности; предлагаются модели механизмов влияния типа проводимости подложки на гетерогенные процессы формирования монокристаллической пленки карбида кремния; определяется концентрационное распределение точечных дефектов в рамках фазовых границ по толщине гетероструктуры, а также роль факторов, от которых оно зависит.

Ключевые слова: точечный дефект, гетероструктура, гетероэндотаксия, карбид кремния на кремнии, легирующая примесь

Для цитирования: Чепурнов, В. И. Кинетические особенности формирования гетероструктур ß-SiC/Si методом эндотаксии / В. И. Чепурнов // Вестник Мордовского университета. – 2014. – № 1. – С. 28–42.

Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.